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IGBT-Modul GD100HFY120C1S

IGBT-Modul GD100HFY120C1S

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower
Diodenmodul MDD95-16N1B

Diodenmodul MDD95-16N1B

Doppel-Diodenmodul im TO-240-Gehäuse, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=120A@100°C, Vrrm/Vdrm=1600V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die Module MDD95-08N1B, MCC95-12N1B und MCC95-14N1B ersetzen.
IGBT-Modul GD150HFU120C2S

IGBT-Modul GD150HFU120C2S

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=150A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower
IGBT-Modul GD400SGU120C2S

IGBT-Modul GD400SGU120C2S

IGBT-Modul, Einzelschalter, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=400A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower
IGBT-Modul GD100HFU120C1S

IGBT-Modul GD100HFU120C1S

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower
Thyristormodul MCC501-18io2

Thyristormodul MCC501-18io2

Doppel-Thyristormodul, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=500A@85°C, Vrrm/Vdrm=1800V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die Module MCC501-12io2 und MCC501-14io2 ersetzen.